Principes physiques et modélisation des caractéristiques électriques (I-V, C-V) des principaux composants de la microélectronique :

• Jonctions P-N (approfondissement de l’homojonction, hétérojonction) ;
• Contacts métal/semi-conducteur (ohmiques, Schottky) ;
• Transistor bipolaire ;
• Transistor MOS.

1. Disciplinaires

• Savoir expliquer d’un point de vue physique le fonctionnement d’une diode, d’un transistor bipolaire et d’un transistor MOS
• Savoir donner et manipuler les principales équations des modèles compacts de la diode, du transistor bipolaire et du transistor MOS utilisés en dimensionnement manuel de circuit intégré
• Savoir formuler et résoudre un problème physique du semi-conducteur

2. Transversales

• Savoir rechercher des informations et faire preuve d’analyse critique
• Savoir s’organiser et planifier son travail en pleine autonomie

Ce cours s'appuie sur les compétences développées par le cours "Matériaux et Composants" de la Licence mention SPI, parcours SE.
Les connaissances suivantes sont considérées comme acquises :

• Notions de physique des semi-conducteurs (bandes d'énergie, dopage, niveau de Fermi, transport électronique) ;
• Jonction P-N à l'équilibre et sous polarisation continue.